PART02 檢測方案 檢測配置 PART03 檢測結(jié)果 3.1 使用 Omniscan相控陣探傷儀+10MHz,V311 探頭;采用水浸掃查形式,將工件下方墊起的檢測結(jié)果如下: 3.2 使用 Omniscan相控陣探傷儀+10MHz,V311 探頭;采用水浸掃查形式,將工件置于水槽底部的檢測結(jié)果如下: 3.3 使用 Omniscan相控陣探傷儀+10L64NW1 探頭,激發(fā) 16 晶片;采用水浸掃查形式,將工件置于水槽底部的檢測結(jié)果如下: 結(jié)論 經(jīng)多次反復(fù)對比實驗得出結(jié)論: 使用超聲相控陣技術(shù),采用 10MHz,V311 探頭及 10MHz,64 晶片,NW1 探頭;將工件置于不同狀態(tài)下,根據(jù)回波強度來判斷,圖象中顏色越深,對應(yīng)回波強度越大,能量越大,缺陷可能越大;其中發(fā)現(xiàn)在任何狀態(tài)下均發(fā)現(xiàn)在圓盤內(nèi)盤一側(cè)位置與下方鎢鉬連接位置均發(fā)現(xiàn)缺陷信號,如以上圖片紅圈位置。